창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C3V6W-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4W - BZX84C39W | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 125°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C3V6W-FDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C3V6W-7-F | |
| 관련 링크 | BZX84C3V, BZX84C3V6W-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
| UHW1J821MHD | 820µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | UHW1J821MHD.pdf | ||
![]() | RJU6054TDPP-EJ#T2 | DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP | RJU6054TDPP-EJ#T2.pdf | |
![]() | RG3216P-82R0-B-T5 | RES SMD 82 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-82R0-B-T5.pdf | |
![]() | RG1608V-1911-W-T1 | RES SMD 1.91K OHM 1/10W 0603 | RG1608V-1911-W-T1.pdf | |
![]() | Y16255K44050T0W | RES SMD 5.4405K OHM 0.3W 1206 | Y16255K44050T0W.pdf | |
![]() | GP1A042RBW0F | GP1A042RBW0F SHARP DIP6 | GP1A042RBW0F.pdf | |
![]() | DTV32F | DTV32F ST SMD or Through Hole | DTV32F.pdf | |
![]() | STD12NE06L | STD12NE06L ST TO-252 | STD12NE06L.pdf | |
![]() | AMBE-2000 | AMBE-2000 TI SMD or Through Hole | AMBE-2000.pdf | |
![]() | FQPF9N30C | FQPF9N30C FAIRCHILD TO-220F | FQPF9N30C.pdf | |
![]() | 8502K2 | 8502K2 ORIGINAL SMD or Through Hole | 8502K2.pdf | |
![]() | MH13FAD-R 50.000 | MH13FAD-R 50.000 ORIGINAL SMD | MH13FAD-R 50.000.pdf |