창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C3V6S-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1580 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
구성 | 2 독립형 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C3V6S-FDITR BZX84C3V6S7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C3V6S-7-F | |
관련 링크 | BZX84C3V, BZX84C3V6S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | B43504E127M | 120µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1.13 Ohm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43504E127M.pdf | |
![]() | 25V68UFE | 25V68UFE AVXNEC SMD or Through Hole | 25V68UFE.pdf | |
![]() | M50558 | M50558 MIT DIP | M50558.pdf | |
![]() | C2520B-R27J | C2520B-R27J SAGAMI SMD or Through Hole | C2520B-R27J.pdf | |
![]() | TA53501-0010 | TA53501-0010 SOSHIN SMD or Through Hole | TA53501-0010.pdf | |
![]() | RF2886 | RF2886 ORIGINAL BGA | RF2886.pdf | |
![]() | 400V222 | 400V222 EPCOS SMD or Through Hole | 400V222.pdf | |
![]() | MB89626RPF-G-1040-BN | MB89626RPF-G-1040-BN FUJITSU QFP | MB89626RPF-G-1040-BN.pdf | |
![]() | H11D4SMTR | H11D4SMTR Isocom SMD or Through Hole | H11D4SMTR.pdf | |
![]() | MC10210 | MC10210 S DIP | MC10210.pdf | |
![]() | US3004CW/US3004 | US3004CW/US3004 UNISEM SOP-20 | US3004CW/US3004.pdf | |
![]() | L2A2092 | L2A2092 LSI BGA | L2A2092.pdf |