창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C3V0W-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4W - BZX84C39W | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1580 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
| 허용 오차 | ±7% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 125°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C3V0W-FDITR BZX84C3V0W7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C3V0W-7-F | |
| 관련 링크 | BZX84C3V, BZX84C3V0W-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | C0805C180J5GACTU | 18pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C180J5GACTU.pdf | |
![]() | MLG1005S3N3CT000 | 3.3nH Unshielded Multilayer Inductor 800mA 200 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | MLG1005S3N3CT000.pdf | |
![]() | RC0805FR-075M6L | RES SMD 5.6M OHM 1% 1/8W 0805 | RC0805FR-075M6L.pdf | |
![]() | Y0029500R000F0L | RES 500 OHM 2/3W 1% AXIAL | Y0029500R000F0L.pdf | |
![]() | SDSW5D18F-6R2Y-F01 | SDSW5D18F-6R2Y-F01 DELTA SMD 5D18F | SDSW5D18F-6R2Y-F01.pdf | |
![]() | 3C1860XL5SKB1 | 3C1860XL5SKB1 INFINEON SMD or Through Hole | 3C1860XL5SKB1.pdf | |
![]() | NCP1117STAT1G | NCP1117STAT1G ON SOT-223 | NCP1117STAT1G.pdf | |
![]() | 30KHZ | 30KHZ JAPAN SMD or Through Hole | 30KHZ.pdf | |
![]() | NL160120BM27-03A | NL160120BM27-03A NEC SMD or Through Hole | NL160120BM27-03A.pdf | |
![]() | K4S561632E-NC60 | K4S561632E-NC60 SAMSUNG TSOP | K4S561632E-NC60.pdf | |
![]() | MST69881ELD-LF-1 | MST69881ELD-LF-1 MSTARA QFP | MST69881ELD-LF-1.pdf |