창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C36S-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1581 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
구성 | 2 독립형 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 25.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C36S-FDITR BZX84C36S7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C36S-7-F | |
관련 링크 | BZX84C3, BZX84C36S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
CDV30FK501FO3F | MICA | CDV30FK501FO3F.pdf | ||
MMSD914-TP | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD123 | MMSD914-TP.pdf | ||
IC42S16320B-7TL | IC42S16320B-7TL ISSI TSOP | IC42S16320B-7TL.pdf | ||
FC1203A/GLA031001-TQ | FC1203A/GLA031001-TQ KTC TQFP100 | FC1203A/GLA031001-TQ.pdf | ||
BAT721S | BAT721S NXP SOT23 | BAT721S.pdf | ||
B32621A5224J000 | B32621A5224J000 EPCOS DIP | B32621A5224J000.pdf | ||
1003PLH80 | 1003PLH80 IR SMD or Through Hole | 1003PLH80.pdf | ||
AD8506ACBZG4-REEL7 | AD8506ACBZG4-REEL7 AD Original | AD8506ACBZG4-REEL7.pdf | ||
MP930-5-1% | MP930-5-1% Caddock TO-220 | MP930-5-1%.pdf | ||
ISL6420Aiz | ISL6420Aiz INTERSIL SMD | ISL6420Aiz.pdf | ||
UPD780058GC-112-8BT | UPD780058GC-112-8BT NEC QFP | UPD780058GC-112-8BT.pdf | ||
CY2305SXC1H | CY2305SXC1H CYPRESS SMD or Through Hole | CY2305SXC1H.pdf |