창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C30-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4 - BZX84C51 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
허용 오차 | ±7% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 21V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C30-FDITR BZX84C307F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C30-7-F | |
관련 링크 | BZX84C3, BZX84C30-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | 25WA4700MKC18X25 | 4700µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | 25WA4700MKC18X25.pdf | |
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![]() | CMF5534K800FHR670 | RES 34.8K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5534K800FHR670.pdf | |
![]() | SGM8631 | SGM8631 ORIGINAL SC70-5 | SGM8631.pdf | |
![]() | S-8354A33UA-IQS-T2 | S-8354A33UA-IQS-T2 SEIKO SOT-89 | S-8354A33UA-IQS-T2.pdf | |
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![]() | PH28F640C3TC80-QCUS | PH28F640C3TC80-QCUS INT SMD or Through Hole | PH28F640C3TC80-QCUS.pdf | |
![]() | C8051F800-GM | C8051F800-GM SILICON QFN | C8051F800-GM.pdf | |
![]() | HT9315DV | HT9315DV ORIGINAL DIP | HT9315DV.pdf | |
![]() | SCD1005T-331M-N | SCD1005T-331M-N CHILISIN SMD or Through Hole | SCD1005T-331M-N.pdf | |
![]() | MC7812ACD21 | MC7812ACD21 MOT TO-263 | MC7812ACD21.pdf |