창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C2V7S-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 구성 | 2 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.7V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C2V7SDITR BZX84C2V7STR BZX84C2V7STR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C2V7S-7 | |
| 관련 링크 | BZX84C2, BZX84C2V7S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | PM0603-R18J-RC | 180nH Unshielded Wirewound Inductor 240mA 1.25 Ohm 0603 (1608 Metric) | PM0603-R18J-RC.pdf | |
![]() | C70710M0061362 | C70710M0061362 CTC SMD or Through Hole | C70710M0061362.pdf | |
![]() | KT11P4SA1MTR-LF | KT11P4SA1MTR-LF IT SMD or Through Hole | KT11P4SA1MTR-LF.pdf | |
![]() | UPD78F0841GK-GAK-SSA-AX | UPD78F0841GK-GAK-SSA-AX RENESAS QFP | UPD78F0841GK-GAK-SSA-AX.pdf | |
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![]() | MAXIM1535BETJ | MAXIM1535BETJ MAX BGA | MAXIM1535BETJ.pdf | |
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![]() | SLSNNWH824TS | SLSNNWH824TS SAMSUNG LED | SLSNNWH824TS.pdf | |
![]() | TMS470R1VF288PZA980 | TMS470R1VF288PZA980 TI QFP100 | TMS470R1VF288PZA980.pdf | |
![]() | LDC211G8817B-031 | LDC211G8817B-031 MURATA SMD or Through Hole | LDC211G8817B-031.pdf | |
![]() | R528 | R528 N/A DIP-18 | R528.pdf | |
![]() | AN2121FHS | AN2121FHS PAN TQFP | AN2121FHS.pdf |