창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C2V7S-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
구성 | 2 독립형 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.7V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C2V7SDITR BZX84C2V7STR BZX84C2V7STR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C2V7S-7 | |
관련 링크 | BZX84C2, BZX84C2V7S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
CGA2B3X7R1E154K050BB | 0.15µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGA2B3X7R1E154K050BB.pdf | ||
LT05ZD106MAT2X | 10µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | LT05ZD106MAT2X.pdf | ||
CDS19FD122FO3 | MICA | CDS19FD122FO3.pdf | ||
416F26012ITR | 26MHz ±10ppm 수정 6pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26012ITR.pdf | ||
UPC842C-A | UPC842C-A NEC SMD or Through Hole | UPC842C-A.pdf | ||
RJ4-160V220MH4 | RJ4-160V220MH4 ELNA DIP | RJ4-160V220MH4.pdf | ||
GW100N30S | GW100N30S ST TO-3P | GW100N30S.pdf | ||
HV7802MG-G-S349 | HV7802MG-G-S349 SUPERTEX SMD or Through Hole | HV7802MG-G-S349.pdf | ||
TETA1-814A | TETA1-814A ALPS SIP8 | TETA1-814A.pdf | ||
01-001-0059 | 01-001-0059 ORIGINAL SMD or Through Hole | 01-001-0059.pdf | ||
S-8211AAB-M5T1G | S-8211AAB-M5T1G SEIKO SOT-23-5 | S-8211AAB-M5T1G.pdf | ||
TDA12156 | TDA12156 ST DIP | TDA12156.pdf |