창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C2V4S-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 구성 | 2 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.4V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C2V4SDITR BZX84C2V4STR BZX84C2V4STR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C2V4S-7 | |
| 관련 링크 | BZX84C2, BZX84C2V4S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 1.5SMC39CAHE3/57T | TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AB | 1.5SMC39CAHE3/57T.pdf | |
![]() | CMF5059K000FHRE | RES 59K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF5059K000FHRE.pdf | |
![]() | V20E510L2T7 | V20E510L2T7 LITTELFUSE DIP | V20E510L2T7.pdf | |
![]() | PHP50N03T | PHP50N03T ORIGINAL SMD or Through Hole | PHP50N03T.pdf | |
![]() | E60 | E60 ORIGINAL SMD or Through Hole | E60.pdf | |
![]() | LT1761ES55TR | LT1761ES55TR lt SMD or Through Hole | LT1761ES55TR.pdf | |
![]() | LLK1C123MHSZ | LLK1C123MHSZ NICHICON DIP | LLK1C123MHSZ.pdf | |
![]() | AMIS30600LINI1G | AMIS30600LINI1G ONSEMICONDUCTOR AMISSeries5.25V2 | AMIS30600LINI1G.pdf | |
![]() | CL10T910JBNC | CL10T910JBNC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL10T910JBNC.pdf | |
![]() | WPCT200CA0WG | WPCT200CA0WG WINBON TSSOP28 | WPCT200CA0WG.pdf | |
![]() | BCM5751FKFB-P30 | BCM5751FKFB-P30 BROADCOM BGA | BCM5751FKFB-P30.pdf | |
![]() | PTD10-24-1515 | PTD10-24-1515 PowerPlaza SMD or Through Hole | PTD10-24-1515.pdf |