창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C27-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4 - BZX84C51 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
허용 오차 | ±7% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 18.9V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C27-FDITR BZX84C277F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C27-7-F | |
관련 링크 | BZX84C2, BZX84C27-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | AF0603FR-071K05L | RES SMD 1.05K OHM 1% 1/10W 0603 | AF0603FR-071K05L.pdf | |
![]() | RR03J1K6TB | RES 1.60K OHM 3W 5% AXIAL | RR03J1K6TB.pdf | |
![]() | TN1215-600GTR | TN1215-600GTR ST SOP | TN1215-600GTR.pdf | |
![]() | E3699 | E3699 st QFN | E3699.pdf | |
![]() | HM514900JP8 | HM514900JP8 HITACHI SOJ-28 | HM514900JP8.pdf | |
![]() | LA7161V-A | LA7161V-A SANYO SSOP | LA7161V-A.pdf | |
![]() | GBU2006 | GBU2006 SEP SMD or Through Hole | GBU2006.pdf | |
![]() | 047388-1001 | 047388-1001 molex SIM | 047388-1001.pdf | |
![]() | UMZ2NTR-D | UMZ2NTR-D ROHM SMD or Through Hole | UMZ2NTR-D.pdf | |
![]() | SYC-A2-P4-O4 | SYC-A2-P4-O4 YUAN SMD or Through Hole | SYC-A2-P4-O4.pdf | |
![]() | SAF7831H | SAF7831H NXP QFP | SAF7831H.pdf | |
![]() | 1/6w 560R | 1/6w 560R TY SMD or Through Hole | 1/6w 560R.pdf |