창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C22S-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 구성 | 2 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 22V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 55옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 15.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C22SDITR BZX84C22STR BZX84C22STR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C22S-7 | |
| 관련 링크 | BZX84C, BZX84C22S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 445I25C27M00000 | 27MHz ±20ppm 수정 16pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I25C27M00000.pdf | |
![]() | IMC1812EB6R8J | 6.8µH Unshielded Wirewound Inductor 285mA 1.2 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812EB6R8J.pdf | |
![]() | 866590-0402 | 866590-0402 JAPAN SOP | 866590-0402.pdf | |
![]() | KDS221E | KDS221E KEC SOT-523 | KDS221E.pdf | |
![]() | HJ78D12 | HJ78D12 MICROCHIP NULL | HJ78D12.pdf | |
![]() | TPS2833DG4 | TPS2833DG4 TI SOP8 | TPS2833DG4.pdf | |
![]() | OPA2604AU-01 | OPA2604AU-01 TI SMD or Through Hole | OPA2604AU-01.pdf | |
![]() | TK11129S | TK11129S TOKO SOT-23-5 | TK11129S.pdf | |
![]() | DT72241 | DT72241 IDT PLCC-32 | DT72241.pdf | |
![]() | BQ27541DRZ | BQ27541DRZ TI SON-12 | BQ27541DRZ.pdf | |
![]() | UUR1A221MBR1ES | UUR1A221MBR1ES NICHICON SMD | UUR1A221MBR1ES.pdf |