창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C16 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C 3V3 - BZX84C 33 Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
PCN 조립/원산지 | SOT23 Manufacturing Source 31/May2013 Assembly Site Addition 20/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16.2V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 350mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 11.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C16-ND BZX84C16FSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C16 | |
관련 링크 | BZX8, BZX84C16 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | MKP383427040JIP2T0 | 0.27µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.335" W (26.00mm x 8.50mm) | MKP383427040JIP2T0.pdf | |
![]() | MS46SR-30-1390-Q2-15X-15R-NO-F | SYSTEM | MS46SR-30-1390-Q2-15X-15R-NO-F.pdf | |
![]() | CP3516P1H00 | CP3516P1H00 CVI SMD or Through Hole | CP3516P1H00.pdf | |
![]() | 5V10017DCG8 | 5V10017DCG8 IDT SOP-8 | 5V10017DCG8.pdf | |
![]() | 820B | 820B ORIGINAL DIP-6 | 820B.pdf | |
![]() | IRF632C | IRF632C MOSPEC TO220 | IRF632C.pdf | |
![]() | C3225C0G2J472KT | C3225C0G2J472KT TDK SMD or Through Hole | C3225C0G2J472KT.pdf | |
![]() | BF60GOM | BF60GOM ORIGINAL SMD or Through Hole | BF60GOM.pdf | |
![]() | 183C-4A | 183C-4A KSS PQFN | 183C-4A.pdf | |
![]() | SY-3-K | SY-3-K TAKAMISAWA DIP SOP | SY-3-K.pdf | |
![]() | HHM1516GMO | HHM1516GMO TDK SMD or Through Hole | HHM1516GMO.pdf | |
![]() | MX6AWT-A1-CECS-A009E6 | MX6AWT-A1-CECS-A009E6 CREEASIAPACIFIC originalpack | MX6AWT-A1-CECS-A009E6.pdf |