창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C13-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4 - BZX84C51 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
| PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 13V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C13-FDITR BZX84C137F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C13-7-F | |
| 관련 링크 | BZX84C1, BZX84C13-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 30KPA180AE3/TR13 | TVS DIODE 180VWM 290.4VC P600 | 30KPA180AE3/TR13.pdf | |
![]() | 752091223JPTR13 | RES ARRAY 8 RES 22K OHM 9SRT | 752091223JPTR13.pdf | |
![]() | C5500 | C5500 NEC SMD or Through Hole | C5500.pdf | |
![]() | 47C443MG-6G92 | 47C443MG-6G92 TOSHIBA SMD | 47C443MG-6G92.pdf | |
![]() | LA769337N57N7-E | LA769337N57N7-E NA NA | LA769337N57N7-E.pdf | |
![]() | ISL9003AIENZ-T/3.3 | ISL9003AIENZ-T/3.3 intersil SC70-5 | ISL9003AIENZ-T/3.3.pdf | |
![]() | ATT2X02 MC | ATT2X02 MC AGRER PLCC | ATT2X02 MC.pdf | |
![]() | ERJ3YEB104V | ERJ3YEB104V PA SMD or Through Hole | ERJ3YEB104V.pdf | |
![]() | 1.5KE180A-E3 | 1.5KE180A-E3 VISHAY DO-201 | 1.5KE180A-E3.pdf | |
![]() | MTV212AN32-51 AH | MTV212AN32-51 AH MYSON na | MTV212AN32-51 AH.pdf | |
![]() | K9F560800C | K9F560800C ORIGINAL SMD or Through Hole | K9F560800C.pdf | |
![]() | UP0421N0095N | UP0421N0095N PANASONIC SOT | UP0421N0095N.pdf |