창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C10-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4 - BZX84C51 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 200nA @ 7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C10-FDITR BZX84C107F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C10-7-F | |
관련 링크 | BZX84C1, BZX84C10-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | SIT9001AI-23-33E6-24.00000Y | OSC XO 3.3V 24MHZ OE 0.50% | SIT9001AI-23-33E6-24.00000Y.pdf | |
![]() | IXGT20N100 | IGBT 1000V 40A 150W TO268 | IXGT20N100.pdf | |
![]() | SFH 313FA | PHOTOTRANSISTOR NPN 870NM W/FLTR | SFH 313FA.pdf | |
![]() | ZR369966ELCG-D | ZR369966ELCG-D ZORAN QFP | ZR369966ELCG-D.pdf | |
![]() | K4E660411B-JC50 | K4E660411B-JC50 SAMSUNG SOP | K4E660411B-JC50.pdf | |
![]() | DA228K T146 | DA228K T146 ROHM SOT23SOT323 | DA228K T146.pdf | |
![]() | HIF3F-16PA-2.54DS | HIF3F-16PA-2.54DS HIROSEELECTRICCOLTD SMD or Through Hole | HIF3F-16PA-2.54DS.pdf | |
![]() | CI-B1608-271JJT | CI-B1608-271JJT CTC SMD0603 | CI-B1608-271JJT.pdf | |
![]() | GCM31CR71H225M | GCM31CR71H225M MURATA SMD | GCM31CR71H225M.pdf | |
![]() | 80110H | 80110H ORIGINAL SMD or Through Hole | 80110H.pdf | |
![]() | ASA.05 | ASA.05 ORIGINAL SMD or Through Hole | ASA.05.pdf | |
![]() | 4N60G-X TO-220 | 4N60G-X TO-220 UTC TO220 | 4N60G-X TO-220.pdf |