창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84B3V9-HE3-08 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84 Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84B3V9-HE3-08 | |
| 관련 링크 | BZX84B3V9, BZX84B3V9-HE3-08 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | YPBJ0055T | THERMISTOR PTC OCP 55 OHM 25C | YPBJ0055T.pdf | |
![]() | LP147F23IET | 14.7456MHz ±20ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP147F23IET.pdf | |
![]() | ELL-6UH121M | 120µH Shielded Wirewound Inductor 580mA 480 mOhm Nonstandard | ELL-6UH121M.pdf | |
![]() | 1210R-027J | 2.7nH Unshielded Inductor 1.562A 50 mOhm Max 2-SMD | 1210R-027J.pdf | |
![]() | DS1230YP-100 | DS1230YP-100 DALLAS SMD or Through Hole | DS1230YP-100.pdf | |
![]() | VM3128PM34J | VM3128PM34J VTC SSOP | VM3128PM34J.pdf | |
![]() | mt41j256m8hx-15 | mt41j256m8hx-15 micron SMD or Through Hole | mt41j256m8hx-15.pdf | |
![]() | DCS2146-2100-G-TR | DCS2146-2100-G-TR MKT SMD or Through Hole | DCS2146-2100-G-TR.pdf | |
![]() | TZM5234BGS08 | TZM5234BGS08 VIS SMD or Through Hole | TZM5234BGS08.pdf | |
![]() | MCP2510-I/ST | MCP2510-I/ST MICROCHIP TSSOP | MCP2510-I/ST.pdf | |
![]() | 7000-12321-6530150 | 7000-12321-6530150 MURR SMD or Through Hole | 7000-12321-6530150.pdf | |
![]() | PT6501CT | PT6501CT TI SMD or Through Hole | PT6501CT.pdf |