창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84B10-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84B3V0 - BZX84B39 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 200nA @ 7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84B10-FDITR BZX84B107F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84B10-7-F | |
| 관련 링크 | BZX84B1, BZX84B10-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | ASG-C-V-B-212.500MHZ-T | 212.5MHz LVCMOS VCXO Oscillator Surface Mount 2.5V 35mA Enable/Disable | ASG-C-V-B-212.500MHZ-T.pdf | |
![]() | AD673KNZ | AD673KNZ AD DIP | AD673KNZ.pdf | |
![]() | S6AC-13-F | S6AC-13-F DIODES DO-214AB | S6AC-13-F.pdf | |
![]() | RN2111FU | RN2111FU TOSHIBA SOT-523 | RN2111FU.pdf | |
![]() | 07C5002FP | 07C5002FP VISHAY DIP | 07C5002FP.pdf | |
![]() | 21029971-047 | 21029971-047 ORIGINAL SMD or Through Hole | 21029971-047.pdf | |
![]() | MNR14E0APJ 102 | MNR14E0APJ 102 ROHM SMD or Through Hole | MNR14E0APJ 102.pdf | |
![]() | IX0411CEN1 | IX0411CEN1 SHARP DIP-64 | IX0411CEN1.pdf | |
![]() | THC63LVDM83R/A | THC63LVDM83R/A THINE TSSOP | THC63LVDM83R/A.pdf | |
![]() | GRM39COG100C50 | GRM39COG100C50 ORIGINAL SMD or Through Hole | GRM39COG100C50.pdf | |
![]() | M34280M1-795FP | M34280M1-795FP MITSUBIS SOP20 | M34280M1-795FP.pdf | |
![]() | FQI9N50CTU_F134 | FQI9N50CTU_F134 ORIGINAL TO-262 | FQI9N50CTU_F134.pdf |