창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX79-C9V1,133 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX79 Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | ALF2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 568-7958-3 933117780133 BZX79-C9V1 AMO BZX79-C9V1 AMO-ND BZX79-C9V1,133-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX79-C9V1,133 | |
관련 링크 | BZX79-C9, BZX79-C9V1,133 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | AISC-1210-18NJ-T | 18nH Unshielded Wirewound Inductor 1A 100 mOhm Max Nonstandard | AISC-1210-18NJ-T.pdf | |
![]() | RT1206CRC0724R9L | RES SMD 24.9 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRC0724R9L.pdf | |
![]() | PHP00805H8161BBT1 | RES SMD 8.16K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805H8161BBT1.pdf | |
![]() | XC2V3000-5FFG1152I | XC2V3000-5FFG1152I XILINX BGA1152 | XC2V3000-5FFG1152I.pdf | |
![]() | SIQ124R -180M | SIQ124R -180M deltacomtw/product/cp/inductor PBFREE122122H45-Hrohs | SIQ124R -180M.pdf | |
![]() | PR1218FK-11 2R2 1218-2.2R F | PR1218FK-11 2R2 1218-2.2R F YAGEO SMD or Through Hole | PR1218FK-11 2R2 1218-2.2R F.pdf | |
![]() | MH5368F10 | MH5368F10 MIT TQFP | MH5368F10.pdf | |
![]() | SN8P2624 | SN8P2624 SONIX SSOP28 | SN8P2624.pdf | |
![]() | TPS75425QPWRG4 | TPS75425QPWRG4 TI TSSOP | TPS75425QPWRG4.pdf | |
![]() | PKB4217M | PKB4217M ERICSSON SMD or Through Hole | PKB4217M.pdf | |
![]() | TB-270 | TB-270 MINI SMD or Through Hole | TB-270.pdf | |
![]() | 2039-110-B5 | 2039-110-B5 BOURNS SMD or Through Hole | 2039-110-B5.pdf |