창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX79-C9V1,133 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX79 Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | ALF2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 568-7958-3 933117780133 BZX79-C9V1 AMO BZX79-C9V1 AMO-ND BZX79-C9V1,133-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX79-C9V1,133 | |
관련 링크 | BZX79-C9, BZX79-C9V1,133 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
C1005C0G1H750J | 75pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005C0G1H750J.pdf | ||
QMV81BW1 | QMV81BW1 INTELRSIL DIP | QMV81BW1.pdf | ||
S08A30P | S08A30P MOSPEC TO-220A | S08A30P.pdf | ||
T1555 | T1555 TI SOP-8 | T1555.pdf | ||
MC032FB | MC032FB ON SOP8 | MC032FB.pdf | ||
LT1211IS8#TR | LT1211IS8#TR LINEARTECH SMD or Through Hole | LT1211IS8#TR.pdf | ||
XC2S100E-3TQ144 | XC2S100E-3TQ144 N/A QFP | XC2S100E-3TQ144.pdf | ||
EMX1 G T2R | EMX1 G T2R ROHM EMT6SOT-563 | EMX1 G T2R.pdf | ||
CL-200YG-C-TU | CL-200YG-C-TU CITIZEN SMD or Through Hole | CL-200YG-C-TU.pdf | ||
MDD004 | MDD004 ORIGINAL SMD or Through Hole | MDD004.pdf | ||
OSC063025A-38-8107-3.3-TS | OSC063025A-38-8107-3.3-TS SIWARD SMD or Through Hole | OSC063025A-38-8107-3.3-TS.pdf | ||
LM6402G-2240 | LM6402G-2240 SANYO DIP42 | LM6402G-2240.pdf |