창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX79-C51,133 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX79 Series | |
| PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 180옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 35.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | ALF2 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 933117960133 BZX79-C51 AMO BZX79-C51 AMO-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX79-C51,133 | |
| 관련 링크 | BZX79-C, BZX79-C51,133 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | LD025A5R6BAB2A | 5.6pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | LD025A5R6BAB2A.pdf | |
![]() | 02013J2R5BBSTR | 2.5pF Thin Film Capacitor 25V 0201 (0603 Metric) 0.024" L x 0.013" W (0.60mm x 0.33mm) | 02013J2R5BBSTR.pdf | |
![]() | ADG511BRES | ADG511BRES AD SMD or Through Hole | ADG511BRES.pdf | |
![]() | ADF4158CCPZ | ADF4158CCPZ ADI LFCSP24 | ADF4158CCPZ.pdf | |
![]() | KDZ2.4V-RTK | KDZ2.4V-RTK KEC SMD or Through Hole | KDZ2.4V-RTK.pdf | |
![]() | TN10-3D681JT | TN10-3D681JT MITSUBISH SMD | TN10-3D681JT.pdf | |
![]() | BUF03AJ | BUF03AJ AD CAN8 | BUF03AJ.pdf | |
![]() | BZT52C3 | BZT52C3 ORIGINAL SOD323 | BZT52C3.pdf | |
![]() | A08830 | A08830 AOS SOP-8 | A08830.pdf | |
![]() | L3G4200DH | L3G4200DH STMicroelectronics SMD or Through Hole | L3G4200DH.pdf | |
![]() | DS1833Z-10TR | DS1833Z-10TR DallasSemiconductor SMD or Through Hole | DS1833Z-10TR.pdf | |
![]() | LK666350002201507B | LK666350002201507B ORIGINAL SOP24 | LK666350002201507B.pdf |