창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX79-C36,113 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX79 Series | |
| PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 25.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | ALF2 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 568-11048-2 933117920113 BZX79-C36 T/R BZX79-C36 T/R-ND BZX79-C36,113-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX79-C36,113 | |
| 관련 링크 | BZX79-C, BZX79-C36,113 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | C3216C0G1H104J160AA | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C3216C0G1H104J160AA.pdf | |
![]() | 12101A222J4T2A | 2200pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 12101A222J4T2A.pdf | |
![]() | HMC311ST89ETR | RF Amplifier IC General Purpose 0Hz ~ 6GHz SOT-89 | HMC311ST89ETR.pdf | |
![]() | AM79C90APC/E | AM79C90APC/E AMD DIP | AM79C90APC/E.pdf | |
![]() | TC73X-1-101E | TC73X-1-101E BOURNS SMD | TC73X-1-101E.pdf | |
![]() | 50VXG2700M22X35 | 50VXG2700M22X35 Rubycon DIP-2 | 50VXG2700M22X35.pdf | |
![]() | MAX8674EWN+T | MAX8674EWN+T MAXIM WLP | MAX8674EWN+T.pdf | |
![]() | 353908-6 | 353908-6 TE SMD or Through Hole | 353908-6.pdf | |
![]() | BU2520AX TO3P | BU2520AX TO3P ORIGINAL TO3P | BU2520AX TO3P.pdf | |
![]() | HDL4F23AHQ305-00 | HDL4F23AHQ305-00 HITACHI QFP | HDL4F23AHQ305-00.pdf | |
![]() | CM400DUM-12F | CM400DUM-12F MITSUBISHI SMD or Through Hole | CM400DUM-12F.pdf |