창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX79-B10,133 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX79 Series | |
| PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 200nA @ 7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | ALF2 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 568-7924-3 933166870133 BZX79-B10 AMO BZX79-B10 AMO-ND BZX79-B10,133-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX79-B10,133 | |
| 관련 링크 | BZX79-B, BZX79-B10,133 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | MKP18454111051 | 0.11µF Film Capacitor 600V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.610" Dia x 1.339" L (15.50mm x 34.00mm) | MKP18454111051.pdf | |
![]() | NLV14014BDR2G | NLV14014BDR2G ONSemiconductor SMD or Through Hole | NLV14014BDR2G.pdf | |
![]() | T491B157M004ZTZV18 | T491B157M004ZTZV18 ORIGINAL SMD or Through Hole | T491B157M004ZTZV18.pdf | |
![]() | TA75S393F(TE85R | TA75S393F(TE85R TOSHIBA SMD or Through Hole | TA75S393F(TE85R.pdf | |
![]() | MM1Z10/5B | MM1Z10/5B ST SOD-123 1206 | MM1Z10/5B.pdf | |
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![]() | MY-TA3-0802-36W | MY-TA3-0802-36W ORIGINAL SMD or Through Hole | MY-TA3-0802-36W.pdf | |
![]() | 3QL30A160 | 3QL30A160 ORIGINAL D-1 | 3QL30A160.pdf | |
![]() | MDPX810R836881S25JP | MDPX810R836881S25JP sangshin SMD or Through Hole | MDPX810R836881S25JP.pdf | |
![]() | LJ8A3-1-Z/BY | LJ8A3-1-Z/BY SHRDQ/ SMD or Through Hole | LJ8A3-1-Z/BY.pdf |