창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX585-C62,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX585 Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 62V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 215옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 43.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-523 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-1798-2 934057435115 BZX585-C62 T/R | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX585-C62,115 | |
| 관련 링크 | BZX585-C, BZX585-C62,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | 445I35J14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 9pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I35J14M31818.pdf | |
![]() | HS25 3K F | RES CHAS MNT 3K OHM 1% 25W | HS25 3K F.pdf | |
![]() | AD7863ARZ-10REEL7 | AD7863ARZ-10REEL7 ADI SMD or Through Hole | AD7863ARZ-10REEL7.pdf | |
![]() | KQ0603TE27NJ | KQ0603TE27NJ KOA SMD | KQ0603TE27NJ.pdf | |
![]() | H825 | H825 N/A NA | H825.pdf | |
![]() | TC55257TP-10 | TC55257TP-10 TOSH DIP28 | TC55257TP-10.pdf | |
![]() | HP31J222MRY | HP31J222MRY HITACHI DIP | HP31J222MRY.pdf | |
![]() | MAX901BCSE+T | MAX901BCSE+T MAXIM SOP16 | MAX901BCSE+T.pdf | |
![]() | RF6288TR13 | RF6288TR13 RFMD Module | RF6288TR13.pdf | |
![]() | XCV812E-7FGG900 | XCV812E-7FGG900 XILINX BGA | XCV812E-7FGG900.pdf | |
![]() | 91-21SYGC/S530-E1/TR8 | 91-21SYGC/S530-E1/TR8 ORIGINAL SMD or Through Hole | 91-21SYGC/S530-E1/TR8.pdf | |
![]() | U3896-ML001HXB | U3896-ML001HXB ORIGINAL SMD or Through Hole | U3896-ML001HXB.pdf |