창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX585-B2V7,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX585 Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.7V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-523 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 934055857115 BZX585-B2V7 T/R BZX585-B2V7 T/R-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX585-B2V7,115 | |
| 관련 링크 | BZX585-B2, BZX585-B2V7,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | 416F500X3IST | 50MHz ±15ppm 수정 시리즈 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F500X3IST.pdf | |
![]() | 160MT100K | 160MT100K IR SMD or Through Hole | 160MT100K.pdf | |
![]() | 8716-F | 8716-F ORIGINAL SMD or Through Hole | 8716-F.pdf | |
![]() | L7A1221-004PR95B9F | L7A1221-004PR95B9F SONY QFP | L7A1221-004PR95B9F.pdf | |
![]() | 5069834023 | 5069834023 ORIGINAL SMD or Through Hole | 5069834023.pdf | |
![]() | HP32V221MCXWPEC | HP32V221MCXWPEC HITACHI SMD or Through Hole | HP32V221MCXWPEC.pdf | |
![]() | IBM39MPEGS422PBA 17C | IBM39MPEGS422PBA 17C IBM BGA-M | IBM39MPEGS422PBA 17C.pdf | |
![]() | AHS-**ST-B(2.54mm)40P | AHS-**ST-B(2.54mm)40P ORIGINAL SMD or Through Hole | AHS-**ST-B(2.54mm)40P.pdf | |
![]() | G5RL1EHR12DC | G5RL1EHR12DC ORIGINAL SMD or Through Hole | G5RL1EHR12DC.pdf | |
![]() | TK70630HCL-GH | TK70630HCL-GH AKM SOT363 | TK70630HCL-GH.pdf | |
![]() | AT28HC291-45DC | AT28HC291-45DC ATMEL CDIP | AT28HC291-45DC.pdf |