창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX585-B15,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX585 Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 15V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 10.5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-523 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-11188-2 934055875115 BZX585-B15 T/R BZX585-B15 T/R-ND BZX585-B15,115-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX585-B15,115 | |
| 관련 링크 | BZX585-B, BZX585-B15,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | TE120B3R3J | RES CHAS MNT 3.3 OHM 5% 120W | TE120B3R3J.pdf | |
![]() | PAT0603E1840BST1 | RES SMD 184 OHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E1840BST1.pdf | |
![]() | RR02J8R2TB | RES 8.20 OHM 2W 5% AXIAL | RR02J8R2TB.pdf | |
![]() | 108CKH025M | 108CKH025M ILC SMD or Through Hole | 108CKH025M.pdf | |
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![]() | S5P02H. | S5P02H. ON SOP-8 | S5P02H..pdf | |
![]() | D12390F20IV | D12390F20IV RENESAS SMD or Through Hole | D12390F20IV.pdf | |
![]() | PAM3102-AST26RI | PAM3102-AST26RI PAM SOT23-6 | PAM3102-AST26RI.pdf | |
![]() | PRN10320/151G | PRN10320/151G CMD SOP 20 | PRN10320/151G.pdf | |
![]() | 21.400MHZ | 21.400MHZ KSS DIP- | 21.400MHZ.pdf | |
![]() | K6T8008C2M-TF55 | K6T8008C2M-TF55 SAMSUNG TSOP | K6T8008C2M-TF55.pdf | |
![]() | 1NT02F-4667 | 1NT02F-4667 Sensata SMD or Through Hole | 1NT02F-4667.pdf |