창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX384C62-G3-18 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX384-G Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 62V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 215옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 43.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX384C62-G3-18 | |
| 관련 링크 | BZX384C62, BZX384C62-G3-18 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | B32916B5335M | 3.3µF Film Capacitor 530V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 1.102" W (42.00mm x 28.00mm) | B32916B5335M.pdf | |
![]() | HSA25820RJ | RES CHAS MNT 820 OHM 5% 25W | HSA25820RJ.pdf | |
![]() | RE0805FRE078K2L | RES SMD 8.2K OHM 1% 1/8W 0805 | RE0805FRE078K2L.pdf | |
![]() | MCR006YZPF2742 | RES SMD 27.4K OHM 1% 1/20W 0201 | MCR006YZPF2742.pdf | |
![]() | P51-2000-S-L-M12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Sealed Gauge Female - M10 x 1.25 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-2000-S-L-M12-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | MY2-02-24V | MY2-02-24V OMRON SMD or Through Hole | MY2-02-24V.pdf | |
![]() | K4F4016U6E-EF55 | K4F4016U6E-EF55 ORIGINAL BGA | K4F4016U6E-EF55.pdf | |
![]() | SG2011-3.0XN3/TR | SG2011-3.0XN3/TR SGM SOT23-3 | SG2011-3.0XN3/TR.pdf | |
![]() | MM54C948J | MM54C948J INTEL DIP | MM54C948J.pdf | |
![]() | TC4S66F / C9 | TC4S66F / C9 Toshiba Sot-153 | TC4S66F / C9.pdf | |
![]() | IDT74FCT807CTPYG | IDT74FCT807CTPYG IDT SSOP20 | IDT74FCT807CTPYG.pdf |