창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX384-C30,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX384 Series | |
| PCN 조립/원산지 | Carrier Tape Design Chg 03/May/2016 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 21V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-11176-2 934057651115 BZX384-C30 T/R BZX384-C30 T/R-ND BZX384-C30,115-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX384-C30,115 | |
| 관련 링크 | BZX384-C, BZX384-C30,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | LP122F33CDT | 12.288MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP122F33CDT.pdf | |
![]() | ES1W15RJ | RES 15 OHM 1W 5% AXIAL | ES1W15RJ.pdf | |
![]() | 1MM4-0001 | 1MM4-0001 HP PQFP100 | 1MM4-0001.pdf | |
![]() | MBR01-12S05SM | MBR01-12S05SM SMD ACUTE | MBR01-12S05SM.pdf | |
![]() | UM61L256S-12 | UM61L256S-12 UMC SOJ | UM61L256S-12.pdf | |
![]() | 1037359982(B58605) | 1037359982(B58605) MOT SOP | 1037359982(B58605).pdf | |
![]() | RT9164C | RT9164C RICHTEK SMD or Through Hole | RT9164C.pdf | |
![]() | TMS370C765AFNT | TMS370C765AFNT ORIGINAL SMD or Through Hole | TMS370C765AFNT.pdf | |
![]() | MAX-ICL7663BCPA | MAX-ICL7663BCPA MAX DIP-8 | MAX-ICL7663BCPA.pdf | |
![]() | MFRC52201HN1-151 | MFRC52201HN1-151 NXP SMD or Through Hole | MFRC52201HN1-151.pdf | |
![]() | R2O-100V2R2MF3 | R2O-100V2R2MF3 ELNA DIP | R2O-100V2R2MF3.pdf |