창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX384-C12/D6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | BZX384-C12/D6 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | ORIGINAL | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | BZX384-C12/D6 | |
| 관련 링크 | BZX384-, BZX384-C12/D6 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
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![]() | MKP1841347636 | 0.047µF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial | MKP1841347636.pdf | |
![]() | VLS201610ET-2R2M-CA | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 950mA 276 mOhm Max Nonstandard | VLS201610ET-2R2M-CA.pdf | |
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![]() | 791-07-7024 | 791-07-7024 MOLEX NA | 791-07-7024.pdf | |
![]() | IL1160CTU | IL1160CTU SILICON QFP | IL1160CTU.pdf | |
![]() | H5N2512FN | H5N2512FN HITACHI/RENESAS T0-220F | H5N2512FN.pdf | |
![]() | 405C11AM | 405C11AM CTS SMD or Through Hole | 405C11AM.pdf | |
![]() | 18P6259 | 18P6259 INF QFP | 18P6259.pdf | |
![]() | 4576C | 4576C N SOP8 | 4576C.pdf | |
![]() | DRAM 1*4 | DRAM 1*4 OKI SOPDIP | DRAM 1*4.pdf | |
![]() | 21562301040L6 | 21562301040L6 RenesasTechnology SMD or Through Hole | 21562301040L6.pdf |