창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZV90-C3V3,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZV90 Series | |
| PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 Material Chg 22/Feb/2016 Wire Bond Chg 13/May/2016 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 50mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 568-7065-2 934014640115 BZV90-C3V3 T/R BZV90-C3V3 T/R-ND BZV90-C3V3,115-ND BZV90C3V3115 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZV90-C3V3,115 | |
| 관련 링크 | BZV90-C3, BZV90-C3V3,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | C1005JB1A474M050BC | 0.47µF 10V 세라믹 커패시터 JB 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005JB1A474M050BC.pdf | |
![]() | 416F500XXALR | 50MHz ±15ppm 수정 12pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F500XXALR.pdf | |
![]() | GDZ3V0B-HG3-18 | DIODE ZENER 3V 200MW SOD323 | GDZ3V0B-HG3-18.pdf | |
![]() | DR22F3M-E3W | DR22F3M-E3W FUJI SMD or Through Hole | DR22F3M-E3W.pdf | |
![]() | MAX208EEAGT | MAX208EEAGT MAXIM SMD or Through Hole | MAX208EEAGT.pdf | |
![]() | CXA2139SB | CXA2139SB SONY DIP-40 | CXA2139SB.pdf | |
![]() | MH1M08BOJ8 | MH1M08BOJ8 MIT SIMM | MH1M08BOJ8.pdf | |
![]() | SM3407 | SM3407 SEM SOT23-3 | SM3407.pdf | |
![]() | H42X | H42X ORIGINAL SMD or Through Hole | H42X.pdf | |
![]() | UNR921FG0L | UNR921FG0L panasonic SOT-523 | UNR921FG0L.pdf | |
![]() | PIC16C58B-041/ES | PIC16C58B-041/ES MIC DIP | PIC16C58B-041/ES.pdf |