창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZV90-C18,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZV90 Series | |
| PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 Material Chg 22/Feb/2016 Wire Bond Chg 13/May/2016 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 45옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 12.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 50mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 568-7054-2 934014820115 BZV90-C18 T/R BZV90-C18 T/R-ND BZV90-C18,115-ND BZV90C18115 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZV90-C18,115 | |
| 관련 링크 | BZV90-C, BZV90-C18,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
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![]() | SR075E104MAATR2 | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 Z5U 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR075E104MAATR2.pdf | |
![]() | RT1206CRE071K87L | RES SMD 1.87KOHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRE071K87L.pdf | |
![]() | WW12JT6R80 | RES 6.8 OHM 0.4W 5% AXIAL | WW12JT6R80.pdf | |
![]() | LM2575S-5.0 NS | LM2575S-5.0 NS NS TO263 | LM2575S-5.0 NS.pdf | |
![]() | N11P-GE1-A3 | N11P-GE1-A3 NVIDIA BGA | N11P-GE1-A3.pdf | |
![]() | MCM1572-4M 1.998MHZ | MCM1572-4M 1.998MHZ Q-TECH SMD or Through Hole | MCM1572-4M 1.998MHZ.pdf | |
![]() | 2-1571994-0 | 2-1571994-0 TEConnectivity SMD or Through Hole | 2-1571994-0.pdf | |
![]() | 113MT12 | 113MT12 ORIGINAL SMD or Through Hole | 113MT12.pdf | |
![]() | RM116-01 | RM116-01 ORIGINAL SMD or Through Hole | RM116-01.pdf | |
![]() | 78058GCC33 | 78058GCC33 NEC TQFP | 78058GCC33.pdf | |
![]() | BC847CPDW1T1G | BC847CPDW1T1G LRC SC-88 | BC847CPDW1T1G.pdf |