창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZV55-C3V3,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZV55 Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | |
공급 장치 패키지 | SOD-80C | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 568-6264-2 933699400115 BZV55-C3V3 T/R BZV55-C3V3 T/R-ND BZV55-C3V3,115-ND BZV55C3V3115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZV55-C3V3,115 | |
관련 링크 | BZV55-C3, BZV55-C3V3,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
1812-152J | 1.5µH Unshielded Inductor 578mA 600 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | 1812-152J.pdf | ||
RC0402DR-07768RL | RES SMD 768 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RC0402DR-07768RL.pdf | ||
CMF55750K00DHEB | RES 750K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF55750K00DHEB.pdf | ||
CMF073K9000GKBF | RES 3.9K OHM 1/2W 2% AXIAL | CMF073K9000GKBF.pdf | ||
3583/40 | 3583/40 ORIGINAL NEW | 3583/40.pdf | ||
K6R1016V1D-UI08 | K6R1016V1D-UI08 SAMSUNG 44TSOP | K6R1016V1D-UI08.pdf | ||
10CE33EX | 10CE33EX SANYO SMD | 10CE33EX.pdf | ||
SN74AS632FN1 | SN74AS632FN1 TI SMD or Through Hole | SN74AS632FN1.pdf | ||
AD3421 | AD3421 ORIGINAL SSOP28 | AD3421.pdf | ||
STR-Z4157 | STR-Z4157 SK ZIP | STR-Z4157.pdf | ||
NCS7101SN1-P | NCS7101SN1-P ORIGINAL SMD or Through Hole | NCS7101SN1-P.pdf | ||
74FCT240ATQ | 74FCT240ATQ IDT SSOP | 74FCT240ATQ.pdf |