창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZV55-B3V3,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZV55 Series | |
| PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-80C | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 568-8037-2 933827630115 BZV55-B3V3 T/R BZV55-B3V3 T/R-ND BZV55-B3V3,115-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZV55-B3V3,115 | |
| 관련 링크 | BZV55-B3, BZV55-B3V3,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
| UKT1E100MDD | 10µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UKT1E100MDD.pdf | ||
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![]() | VJ0805D7R5CXCAP | 7.5pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D7R5CXCAP.pdf | |
![]() | 1812WA221KAT1A | 220pF 2500V(2.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812WA221KAT1A.pdf | |
![]() | RT0805BRE0795R3L | RES SMD 95.3 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRE0795R3L.pdf | |
![]() | HMC7992LP3DETR | RF Switch IC Cellular SP4T 6GHz 50 Ohm 16-LFCSP (3x3) | HMC7992LP3DETR.pdf | |
![]() | XCS30-4PQ208 | XCS30-4PQ208 XILINX QFP | XCS30-4PQ208.pdf | |
![]() | SWI0805CT3N3B | SWI0805CT3N3B AOBA O805 | SWI0805CT3N3B.pdf | |
![]() | 40846 | 40846 SMD SCHOTT | 40846.pdf | |
![]() | CM05CG0R7C50AH | CM05CG0R7C50AH ORIGINAL SMD or Through Hole | CM05CG0R7C50AH.pdf | |
![]() | WINCENET42PROPLUS10 | WINCENET42PROPLUS10 Microsoft SMD or Through Hole | WINCENET42PROPLUS10.pdf | |
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