창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT585B9V1T-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT585B2V4T-BZT585B43T | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-523 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZT585B9V1T-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT585B9V1T-7 | |
| 관련 링크 | BZT585B, BZT585B9V1T-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
| -1.8.jpg) | CGA5L2X7R2A474M160AE | 0.47µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CGA5L2X7R2A474M160AE.pdf | |
|  | T198B276K125AS | 27µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 125V Axial 3.54 Ohm 0.312" Dia x 0.641" L (7.92mm x 16.28mm) | T198B276K125AS.pdf | |
|  | VLS3010T-6R8MR75 | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 750mA 312 mOhm Max Nonstandard | VLS3010T-6R8MR75.pdf | |
|  | AT89C51SND2C-7FTIL | AT89C51SND2C-7FTIL ATMEL BGA | AT89C51SND2C-7FTIL.pdf | |
|  | CO151A | CO151A N/A SOP | CO151A.pdf | |
|  | BQ24020 | BQ24020 ti sop | BQ24020.pdf | |
|  | C09296/R | C09296/R TRAK SMD or Through Hole | C09296/R.pdf | |
|  | FR3410TR | FR3410TR IR TO-252 | FR3410TR.pdf | |
|  | GEFORCE2 IGP | GEFORCE2 IGP NVIDIA BGA | GEFORCE2 IGP.pdf | |
|  | CXA3228N-T4 | CXA3228N-T4 ORIGINAL SMD or Through Hole | CXA3228N-T4.pdf | |
|  | ADG622 | ADG622 ADI SMD or Through Hole | ADG622.pdf | |
|  | LYA679-E2G1-1-0-2- | LYA679-E2G1-1-0-2- OSRAMOPTO SMD | LYA679-E2G1-1-0-2-.pdf |