창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT585B36T-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT585B2V4T-BZT585B43T | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 25.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-523 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZT585B36T-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT585B36T-7 | |
| 관련 링크 | BZT585B, BZT585B36T-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | US1K-E3/5AT | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC | US1K-E3/5AT.pdf | |
![]() | LQG15HHR10J02D | 100nH Unshielded Multilayer Inductor 150mA 1.25 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | LQG15HHR10J02D.pdf | |
![]() | TNPW201032K4BETF | RES SMD 32.4K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201032K4BETF.pdf | |
![]() | 66089-0830 | 866MHz Whip, Straight RF Antenna 3dBi Connector, U.FL Connector Mount | 66089-0830.pdf | |
![]() | 27C64AD | 27C64AD HY DIP | 27C64AD.pdf | |
![]() | ESY396M025AC3AA | ESY396M025AC3AA ARCOTRNI DIP-2 | ESY396M025AC3AA.pdf | |
![]() | VCXO 27.000MHZ 3.3V | VCXO 27.000MHZ 3.3V ORIGINAL ROHS | VCXO 27.000MHZ 3.3V.pdf | |
![]() | 3.5*4.7 | 3.5*4.7 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3.5*4.7.pdf | |
![]() | MMA02040E1803BA300 | MMA02040E1803BA300 VISHAY SMD | MMA02040E1803BA300.pdf | |
![]() | UPC1221C | UPC1221C ORIGINAL DIP | UPC1221C.pdf | |
![]() | FW82801AASL38Q | FW82801AASL38Q INT BGA | FW82801AASL38Q.pdf |