창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT585B2V4T-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT585B2V4T-BZT585B43T | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.4V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 350mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
공급 장치 패키지 | SOD-523 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT585B2V4T-7DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT585B2V4T-7 | |
관련 링크 | BZT585B, BZT585B2V4T-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | 06031A1R5BAT2A | 1.5pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031A1R5BAT2A.pdf | |
![]() | CRGH1206J1M6 | RES SMD 1.6M OHM 5% 1/2W 1206 | CRGH1206J1M6.pdf | |
![]() | 640545-2 | 640545-2 TYC SMD or Through Hole | 640545-2.pdf | |
![]() | LC4256V-5FTN256B-75I | LC4256V-5FTN256B-75I LATTICE BGA256 | LC4256V-5FTN256B-75I.pdf | |
![]() | HD74540P | HD74540P HIT DIP | HD74540P.pdf | |
![]() | MN4SV17160AT-10 | MN4SV17160AT-10 PANASONIC TSOP | MN4SV17160AT-10.pdf | |
![]() | 10V220UF 6X11 | 10V220UF 6X11 ORIGINAL SMD or Through Hole | 10V220UF 6X11.pdf | |
![]() | SMX320C25FJNC | SMX320C25FJNC TI DLCC66 | SMX320C25FJNC.pdf | |
![]() | AM29PC154H | AM29PC154H AMD DIP | AM29PC154H.pdf | |
![]() | TACL225M010 | TACL225M010 AVX SMD or Through Hole | TACL225M010.pdf | |
![]() | FI-XB20S-HF10-E200 | FI-XB20S-HF10-E200 JAE 20P | FI-XB20S-HF10-E200.pdf | |
![]() | LP61L1016V-12N | LP61L1016V-12N AMIC TSOP | LP61L1016V-12N.pdf |