창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52H-C62,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52H Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 62V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 375mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 140옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 43.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123F | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123F | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-3781-2 934059423115 BZT52H-C62 T/R | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52H-C62,115 | |
| 관련 링크 | BZT52H-C, BZT52H-C62,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | GCM1555C1H7R0DA16J | 7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GCM1555C1H7R0DA16J.pdf | |
![]() | AC1210FR-0753R6L | RES SMD 53.6 OHM 1% 1/2W 1210 | AC1210FR-0753R6L.pdf | |
![]() | TNPW04028K20BEED | RES SMD 8.2K OHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW04028K20BEED.pdf | |
![]() | 768143823GPTR13 | RES ARRAY 7 RES 82K OHM 14SOIC | 768143823GPTR13.pdf | |
![]() | L6569A DIP8 XPB | L6569A DIP8 XPB ST SMD or Through Hole | L6569A DIP8 XPB.pdf | |
![]() | C3126X7R1C475KT000N 16V | C3126X7R1C475KT000N 16V TDK SMD or Through Hole | C3126X7R1C475KT000N 16V.pdf | |
![]() | TQS-915B-7R/3*3/6P | TQS-915B-7R/3*3/6P TOYOCOM SMD or Through Hole | TQS-915B-7R/3*3/6P.pdf | |
![]() | 67781-8001 | 67781-8001 MOLEX SMD or Through Hole | 67781-8001.pdf | |
![]() | NV102-A2 | NV102-A2 NVIDIA BGA | NV102-A2.pdf | |
![]() | PF08151B-TC | PF08151B-TC RENESA SMD or Through Hole | PF08151B-TC.pdf | |
![]() | 74V2T32STR | 74V2T32STR ST SOT23-8 | 74V2T32STR.pdf | |
![]() | S-875087EUP-AJG-T2 | S-875087EUP-AJG-T2 SEIKO SOT-89-6 | S-875087EUP-AJG-T2.pdf |