창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52H-C4V3,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52H Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 375mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123F | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123F | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-3775-2 934059391115 BZT52H-C4V3 T/R | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52H-C4V3,115 | |
| 관련 링크 | BZT52H-C4, BZT52H-C4V3,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | ES2C-LTP | DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AC | ES2C-LTP.pdf | |
![]() | RN73C1J45K3BTG | RES SMD 45.3KOHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J45K3BTG.pdf | |
![]() | HTM250JR-73-70K | RES 70K OHM 2.5W 5% AXIAL | HTM250JR-73-70K.pdf | |
![]() | CP00152K400JE66 | RES 2.4K OHM 15W 5% AXIAL | CP00152K400JE66.pdf | |
![]() | 93C56LCZ | 93C56LCZ F SMD or Through Hole | 93C56LCZ.pdf | |
![]() | 36LMI8 | 36LMI8 LINEAR SMD or Through Hole | 36LMI8.pdf | |
![]() | TSC74HC595AN | TSC74HC595AN MOTO DIP14 | TSC74HC595AN.pdf | |
![]() | 25RIA40MS90 | 25RIA40MS90 IR SMD or Through Hole | 25RIA40MS90.pdf | |
![]() | MP7510DIJD | MP7510DIJD MP CDIP16 | MP7510DIJD.pdf | |
![]() | GXE250VB47RM16X25LL | GXE250VB47RM16X25LL UMITEDCHEMI-CON DIP | GXE250VB47RM16X25LL.pdf | |
![]() | 1N6296-E3/54 | 1N6296-E3/54 VISHAY SMD or Through Hole | 1N6296-E3/54.pdf |