창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52H-B3V0,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52H Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 375mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123F | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123F | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-11140-2 934064779115 BZT52H-B3V0,115-ND BZT52H-B3V0115 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52H-B3V0,115 | |
| 관련 링크 | BZT52H-B3, BZT52H-B3V0,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | EEE-FT1V331GP | 330µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 80 mOhm @ 100kHz 5000 Hrs @ 105°C | EEE-FT1V331GP.pdf | |
![]() | R10-E1X4-V52 | General Purpose Relay 4PDT (4 Form C) 6VDC Coil Socketable | R10-E1X4-V52.pdf | |
![]() | CRGV2010F137K | RES SMD 137K OHM 1% 1/2W 2010 | CRGV2010F137K.pdf | |
![]() | 7000-40421-6540100 | 7000-40421-6540100 MURR SMD or Through Hole | 7000-40421-6540100.pdf | |
![]() | D96052GM001 | D96052GM001 NEC PQFP | D96052GM001.pdf | |
![]() | AD7938BSUZ AD7938BSUZ-6 | AD7938BSUZ AD7938BSUZ-6 AD QFP | AD7938BSUZ AD7938BSUZ-6.pdf | |
![]() | VJ0805A100FXAMT | VJ0805A100FXAMT VISHAY SMD | VJ0805A100FXAMT.pdf | |
![]() | TLNE5532D | TLNE5532D PHI SOP16 | TLNE5532D.pdf | |
![]() | DST-050-320-880S | DST-050-320-880S MCKENZIE SMD or Through Hole | DST-050-320-880S.pdf | |
![]() | DF12E(3.0)-50DP-0. | DF12E(3.0)-50DP-0. Nais SMD or Through Hole | DF12E(3.0)-50DP-0..pdf | |
![]() | GRM1882C1H680JZ01D | GRM1882C1H680JZ01D MURATA SMD or Through Hole | GRM1882C1H680JZ01D.pdf |