홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 다이오드- 제너 - 단일 » BZT52H-B12,115

NXP Semiconductors BZT52H-B12,115

BZT52H-B12,115
제조업체 부품 번호
BZT52H-B12,115
제조업 자
제품 카테고리
다이오드- 제너 - 단일
간단한 설명
DIODE ZENER 12V 375MW SOD123F
데이터 시트 다운로드
다운로드
BZT52H-B12,115 가격 및 조달

가능 수량

14550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 34.69340
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 BZT52H-B12,115 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. BZT52H-B12,115 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BZT52H-B12,115가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
BZT52H-B12,115 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BZT52H-B12,115 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BZT52H-B12,115
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BZT52H Series
종류이산 소자 반도체 제품
제품군다이오드- 제너 - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
전압 - 제너(공칭)(Vz)12V
허용 오차±2%
전력 - 최대375mW
임피던스(최대)(Zzt)10옴
전류 - 역누설 @ Vr100nA @ 8V
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-65°C ~ 150°C
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOD-123F
공급 장치 패키지SOD-123F
표준 포장 3,000
다른 이름568-11132-2
934064796115
BZT52H-B12,115-ND
BZT52H-B12115
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BZT52H-B12,115
관련 링크BZT52H-B, BZT52H-B12,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
BZT52H-B12,115 의 관련 제품
7.5pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm) 251R15S7R5BV4E.pdf
PMB4729-V1.7 ORIGINAL QFP PMB4729-V1.7.pdf
TMP87C846N-3VG1 TOSHIBA DIP TMP87C846N-3VG1.pdf
BA6485FP-YT1 ROHM SMD BA6485FP-YT1.pdf
NAND08GW3B2CN6E-N ST/Numonyx TSOP-48 NAND08GW3B2CN6E-N.pdf
A814AY-560K TOKO SMD or Through Hole A814AY-560K.pdf
VOF-65-24 CUI Onlyoriginal VOF-65-24.pdf
DS90C363MDT NS TSSOP DS90C363MDT.pdf
BA6857FP ROHM SOP30 BA6857FP.pdf
60LJ ORIGINAL PLCC68 60LJ.pdf
QG5000P，SL9TP INTEL SMD or Through Hole QG5000P，SL9TP.pdf