창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C6V8LP-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C5V1LP - BZT52C39LP | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1578 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 250mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-UFDFN | |
공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C6V8LP-7-F BZT52C6V8LP-FDITR BZT52C6V8LP-FDITR-ND BZT52C6V8LP7 BZT52C6V8LPDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C6V8LP-7 | |
관련 링크 | BZT52C6, BZT52C6V8LP-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
FXO-LC535R-1.163 | 1.163MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 100mA Enable/Disable | FXO-LC535R-1.163.pdf | ||
MCR006YZPF2871 | RES SMD 2.87K OHM 1% 1/20W 0201 | MCR006YZPF2871.pdf | ||
AA1218JK-074R7L | RES SMD 4.7 OHM 1W 1812 WIDE | AA1218JK-074R7L.pdf | ||
CXTF-PP2 | CXTF-PP2 OTAX SMD or Through Hole | CXTF-PP2.pdf | ||
LT1132CS/ACS/ACSW | LT1132CS/ACS/ACSW LT SOP | LT1132CS/ACS/ACSW.pdf | ||
C4074 | C4074 NEC SOP | C4074.pdf | ||
ELLA500ELL1R0ME11D | ELLA500ELL1R0ME11D NIPPON SMD or Through Hole | ELLA500ELL1R0ME11D.pdf | ||
TC7WH34FUTE12L | TC7WH34FUTE12L TOSHIBA SMD or Through Hole | TC7WH34FUTE12L.pdf | ||
988-2645-001 | 988-2645-001 ORIGINAL SOP12 | 988-2645-001.pdf | ||
BPW37 | BPW37 ORIGINAL SMD or Through Hole | BPW37.pdf | ||
BSZ16DN25NS3 G TR | BSZ16DN25NS3 G TR Infineon SMD or Through Hole | BSZ16DN25NS3 G TR.pdf |