창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C5V1LP-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52C5V1LP - BZT52C39LP | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1578 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 60옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-UFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C5V1LP-7-ND BZT52C5V1LP-7DITR BZT52C5V1LP7 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C5V1LP-7 | |
| 관련 링크 | BZT52C5, BZT52C5V1LP-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 445I32L14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 12pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I32L14M31818.pdf | |
![]() | SIT9003AI-23-33EB-40.00000Y | OSC XO 3.3V 40MHZ OE 0.25% | SIT9003AI-23-33EB-40.00000Y.pdf | |
![]() | RC0402FR-07187KL | RES SMD 187K OHM 1% 1/16W 0402 | RC0402FR-07187KL.pdf | |
![]() | RT0402CRE0756R2L | RES SMD 56.2OHM 0.25% 1/16W 0402 | RT0402CRE0756R2L.pdf | |
![]() | Y40231K00000F0W | RES SMD 1K OHM 1% 0.3W 1206 | Y40231K00000F0W.pdf | |
![]() | ECY29RH104MV | ECY29RH104MV PANASONIC SMD | ECY29RH104MV.pdf | |
![]() | SMJ27C64-35JM | SMJ27C64-35JM TI DIP | SMJ27C64-35JM.pdf | |
![]() | P3100SD/IR | P3100SD/IR IR SMB | P3100SD/IR.pdf | |
![]() | HL2D122MCZS4WPEC | HL2D122MCZS4WPEC HITACHI DIP | HL2D122MCZS4WPEC.pdf | |
![]() | U3550B | U3550B TFK SOP28 | U3550B.pdf | |
![]() | ESME201ETD4R7MJC5S | ESME201ETD4R7MJC5S Chemi-con NA | ESME201ETD4R7MJC5S.pdf | |
![]() | DS7814J | DS7814J DS DIP | DS7814J.pdf |