창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C4V3LP-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52C5V1LP - BZT52C39LP | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
| PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1578 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
| 허용 오차 | ±7% | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-UFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C4V3LP7 BZT52C4V3LPDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C4V3LP-7 | |
| 관련 링크 | BZT52C4, BZT52C4V3LP-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 9C08000001 | 8MHz ±30ppm 수정 30pF -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C08000001.pdf | |
![]() | 746292-5 | 746292-5 TYCO SMD or Through Hole | 746292-5.pdf | |
![]() | AD742ARZ | AD742ARZ AD SOP8 | AD742ARZ.pdf | |
![]() | 650949-9 | 650949-9 AMP SMD or Through Hole | 650949-9.pdf | |
![]() | KSC481J | KSC481J C&K/ITT SMD or Through Hole | KSC481J.pdf | |
![]() | EDE10161ABH-7ETS-F | EDE10161ABH-7ETS-F ELPIDA FBGA | EDE10161ABH-7ETS-F.pdf | |
![]() | 5KP10CA-E3/54 | 5KP10CA-E3/54 VISHAY P600 | 5KP10CA-E3/54.pdf | |
![]() | TDA5102GEG | TDA5102GEG INFINEON TSSOP16 | TDA5102GEG.pdf | |
![]() | MAZ30750 | MAZ30750 panasonic SOT23-3 | MAZ30750.pdf | |
![]() | DAC650JL | DAC650JL BB QFP | DAC650JL.pdf |