창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C3V6-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52CV0 - BZT52C51 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C3V6-13DITR BZT52C3V6-13TR BZT52C3V6DITR BZT52C3V6DITR-ND BZT52C3V6TR BZT52C3V6TR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C3V6-13 | |
| 관련 링크 | BZT52C3, BZT52C3V6-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | BFC237862273 | 0.027µF Film Capacitor 300V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | BFC237862273.pdf | |
![]() | AF0805JR-071M5L | RES SMD 1.5M OHM 5% 1/8W 0805 | AF0805JR-071M5L.pdf | |
![]() | AME8500AEETAF | AME8500AEETAF AME SMD or Through Hole | AME8500AEETAF.pdf | |
![]() | 0402PA-0N8XJLW | 0402PA-0N8XJLW Coilcraft SMD | 0402PA-0N8XJLW.pdf | |
![]() | CD4030BK3 | CD4030BK3 HARRIS SMD or Through Hole | CD4030BK3.pdf | |
![]() | 41A1240 1G | 41A1240 1G IENOVO QFP | 41A1240 1G.pdf | |
![]() | EGXE401ETD470MLN3S | EGXE401ETD470MLN3S NIPPONCHEMI-COM DIP | EGXE401ETD470MLN3S.pdf | |
![]() | 11N120 | 11N120 ORIGINAL TO-3P | 11N120.pdf | |
![]() | LH28F008SCHT-L85E2 | LH28F008SCHT-L85E2 SHARP SMD or Through Hole | LH28F008SCHT-L85E2.pdf | |
![]() | C1005NPO0820JGT | C1005NPO0820JGT ORIGINAL 0402-82P | C1005NPO0820JGT.pdf | |
![]() | STC62WV1024TCP55 | STC62WV1024TCP55 STC TSOP-32 | STC62WV1024TCP55.pdf | |
![]() | HTSW10408LS | HTSW10408LS SAM CONN | HTSW10408LS.pdf |