창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C3V0LP-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52C5V1LP - BZT52C39LP | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1578 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
| 허용 오차 | ±7% | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-UFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C3V0LP7 BZT52C3V0LPDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C3V0LP-7 | |
| 관련 링크 | BZT52C3, BZT52C3V0LP-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | ECW-H12113HVB | 0.011µF Film Capacitor 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.335" W (18.00mm x 8.50mm) | ECW-H12113HVB.pdf | |
![]() | CRGV0603J3M6 | RES SMD 3.6M OHM 5% 1/10W 0603 | CRGV0603J3M6.pdf | |
![]() | MBA02040C1104FC100 | RES 1.1M OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1104FC100.pdf | |
![]() | A85D | A85D ORIGINAL SMD or Through Hole | A85D.pdf | |
![]() | ADSST-1981BJSTZ-ADI | ADSST-1981BJSTZ-ADI ORIGINAL SMD or Through Hole | ADSST-1981BJSTZ-ADI.pdf | |
![]() | L8750AYB | L8750AYB ORIGINAL SOP | L8750AYB.pdf | |
![]() | SP205BEP | SP205BEP SIPEX DIP24 | SP205BEP.pdf | |
![]() | TT36N1000KOF | TT36N1000KOF AEG MODULE | TT36N1000KOF.pdf | |
![]() | CMR1U-01M | CMR1U-01M CENTRAL SMA | CMR1U-01M.pdf | |
![]() | ZOV-10D330K | ZOV-10D330K ZOV&VCR SMD or Through Hole | ZOV-10D330K.pdf | |
![]() | D78F0034AYG | D78F0034AYG NEC QFP | D78F0034AYG.pdf |