창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C2V7LP-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52C5V1LP - BZT52C39LP | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1578 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.7V | |
| 허용 오차 | ±7% | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-XFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C2V7LPDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C2V7LP-7 | |
| 관련 링크 | BZT52C2, BZT52C2V7LP-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 1N5952CPE3/TR8 | DIODE ZENER 130V 1.5W DO204AL | 1N5952CPE3/TR8.pdf | |
![]() | 744373460022 | 220nH Shielded Wirewound Inductor 15A 2.8 mOhm Max Nonstandard | 744373460022.pdf | |
![]() | 5500-472K | 4.7µH Unshielded Inductor 11.14A 8 mOhm Max 2-SMD | 5500-472K.pdf | |
![]() | DIP05-2A72-21D | Reed Relay DPST (2 Form A) Through Hole | DIP05-2A72-21D.pdf | |
![]() | ERJ-S03F5232V | RES SMD 52.3K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-S03F5232V.pdf | |
![]() | AT8P59AES | AT8P59AES ATW SOP-28 | AT8P59AES.pdf | |
![]() | 10001-3252990-049 | 10001-3252990-049 MMI DIP | 10001-3252990-049.pdf | |
![]() | AW5-12S360 | AW5-12S360 ASIA SMD or Through Hole | AW5-12S360.pdf | |
![]() | IDT79RV5000-300B8272 | IDT79RV5000-300B8272 IDT BGA | IDT79RV5000-300B8272.pdf | |
![]() | S87L51F8 | S87L51F8 ORIGINAL PLCC-44 | S87L51F8.pdf | |
![]() | PS2532L-1-V-F3-A | PS2532L-1-V-F3-A NEC DIPSOP | PS2532L-1-V-F3-A.pdf |