창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C2V4-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52CV0 - BZT52C51 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 Green Encapsulate 29/Aug/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1576 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.4V | |
| 허용 오차 | ±8% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C2V4-7-FDITR BZT52C2V4-7-FDITR-ND BZT52C2V4-FDITR BZT52C2V47F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C2V4-7-F | |
| 관련 링크 | BZT52C2, BZT52C2V4-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | MCU08050D3652BP500 | RES SMD 36.5K OHM 0.1% 1/8W 0805 | MCU08050D3652BP500.pdf | |
![]() | RG2012N-3740-W-T1 | RES SMD 374 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-3740-W-T1.pdf | |
![]() | 770968-1 | 770968-1 AMP SMD or Through Hole | 770968-1.pdf | |
![]() | P1216TS | P1216TS GPLUS QFN16 | P1216TS.pdf | |
![]() | CA3085BT3 | CA3085BT3 HAR SMD or Through Hole | CA3085BT3.pdf | |
![]() | DAC80P/N | DAC80P/N BB DIP | DAC80P/N.pdf | |
![]() | A610 | A610 enghofer SMD or Through Hole | A610.pdf | |
![]() | THS4520EVM | THS4520EVM TI SMD or Through Hole | THS4520EVM.pdf | |
![]() | PM0805G-R33J-RC | PM0805G-R33J-RC BOURNS SMD | PM0805G-R33J-RC.pdf | |
![]() | CDRH73NP-102MB | CDRH73NP-102MB SUMIDA SMD | CDRH73NP-102MB.pdf | |
![]() | SY-904 | SY-904 ORIGINAL SMD or Through Hole | SY-904.pdf | |
![]() | MM74F04D | MM74F04D FAI SOP-14 | MM74F04D.pdf |