창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C10-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52CV0 - BZT52C51 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 200nA @ 7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | BZT52-C10DI BZT52-C10DITR BZT52-C10DITR-ND BZT52C10-13DITR BZT52C10-13TR BZT52C10DITR BZT52C10DITR-ND BZT52C10TR BZT52C10TR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C10-13 | |
| 관련 링크 | BZT52C, BZT52C10-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1206Y222MXEAT5Z | 2200pF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | VJ1206Y222MXEAT5Z.pdf | |
![]() | C49X-A3B1C1-40-8.0D16 | 8MHz ±100ppm 수정 16pF 40옴 -55°C ~ 125°C 스루홀 방사 | C49X-A3B1C1-40-8.0D16.pdf | |
![]() | F4724BPC | F4724BPC FUJ DIP-16P | F4724BPC.pdf | |
![]() | TPC8110(TE12L.Q) | TPC8110(TE12L.Q) TOSHIBA SMD or Through Hole | TPC8110(TE12L.Q).pdf | |
![]() | B7637-836.5M881.5M | B7637-836.5M881.5M EPCOS SMD or Through Hole | B7637-836.5M881.5M.pdf | |
![]() | C0805C120J5GAC7800 0805-12P | C0805C120J5GAC7800 0805-12P KEMET SMD or Through Hole | C0805C120J5GAC7800 0805-12P.pdf | |
![]() | 63012-2 | 63012-2 ORIGINAL SMD | 63012-2.pdf | |
![]() | PT2127A-C41 | PT2127A-C41 PTC SMD or Through Hole | PT2127A-C41.pdf | |
![]() | ABTH16460 | ABTH16460 TI TSSOP | ABTH16460.pdf | |
![]() | GS840F36AT-8 | GS840F36AT-8 GSI PQFP | GS840F36AT-8.pdf | |
![]() | WR-L100S-VF-1-E1500 | WR-L100S-VF-1-E1500 JAE SMD or Through Hole | WR-L100S-VF-1-E1500.pdf |