창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52B62-HE3-08 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52 Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 62V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 410mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 150옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | - | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52B62-HE3-08 | |
| 관련 링크 | BZT52B62-, BZT52B62-HE3-08 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | BYX85TR | DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 | BYX85TR.pdf | |
![]() | C84200-11 | C84200-11 CONEXANT QFP | C84200-11.pdf | |
![]() | GL1117-3.3ST3R | GL1117-3.3ST3R GL SOT-223 | GL1117-3.3ST3R.pdf | |
![]() | L6132396B | L6132396B INTEL DIP | L6132396B.pdf | |
![]() | MDP1T30B | MDP1T30B ST QFP80 | MDP1T30B.pdf | |
![]() | AW9636 | AW9636 ORIGINAL QFN16 | AW9636.pdf | |
![]() | TOA6920X | TOA6920X SIEMENS SOP28 | TOA6920X.pdf | |
![]() | TS1123CX515 RF | TS1123CX515 RF TSC SOT-153 | TS1123CX515 RF.pdf | |
![]() | 23K640-E/ST | 23K640-E/ST Microchip SMD or Through Hole | 23K640-E/ST.pdf | |
![]() | MC504FB2 | MC504FB2 MOT SMD or Through Hole | MC504FB2.pdf | |
![]() | ELLA350ELL470MF11D | ELLA350ELL470MF11D NIPNCHEMI DIP | ELLA350ELL470MF11D.pdf | |
![]() | L-53SED | L-53SED kingbright DIP | L-53SED.pdf |