창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT03D200-TAP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT03 Series | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 1 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 158V | |
| 전압 - 항복(최소) | 180V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 284V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 1.1A | |
| 전력 - 피크 펄스 | 600W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | SOD-57, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-57 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT03D200-TAP | |
| 관련 링크 | BZT03D2, BZT03D200-TAP 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CL05C050CB5NCNC | 5pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CL05C050CB5NCNC.pdf | |
![]() | CRCW25125R90FNTG | RES SMD 5.9 OHM 1% 1W 2512 | CRCW25125R90FNTG.pdf | |
![]() | SFR16S0002552FR500 | RES 25.5K OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR16S0002552FR500.pdf | |
![]() | CW010R1200KE123 | RES 0.12 OHM 13W 10% AXIAL | CW010R1200KE123.pdf | |
![]() | SA5611GWA =SA56-11GWA | SA5611GWA =SA56-11GWA ORIGINAL SMD or Through Hole | SA5611GWA =SA56-11GWA.pdf | |
![]() | PTZ2.0B | PTZ2.0B ROHM 1808 | PTZ2.0B.pdf | |
![]() | T8F09TB-0001 | T8F09TB-0001 TOSHIBA BGA | T8F09TB-0001.pdf | |
![]() | V4-243R3ST | V4-243R3ST MOTIEN SIP7 | V4-243R3ST.pdf | |
![]() | FCR20FP-R033(5025) | FCR20FP-R033(5025) ORIGINAL SMD or Through Hole | FCR20FP-R033(5025).pdf | |
![]() | K4G1G325FE-HC04 | K4G1G325FE-HC04 SAMSUNG FBGA | K4G1G325FE-HC04.pdf | |
![]() | HYB18T1G800CF-2.5 | HYB18T1G800CF-2.5 STM SMD or Through Hole | HYB18T1G800CF-2.5.pdf | |
![]() | ISP521-4G | ISP521-4G Isocom SMD or Through Hole | ISP521-4G.pdf |