창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZM55B4V7-TR3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZM55 Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
| 허용 오차 | - | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 600옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 무연 | |
| 공급 장치 패키지 | MicroMELF | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZM55B4V7-TR3 | |
| 관련 링크 | BZM55B4, BZM55B4V7-TR3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 402F20022IDR | 20MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F20022IDR.pdf | |
| VLZ12C-GS18 | DIODE ZENER 24.09V 500MW SOD80 | VLZ12C-GS18.pdf | ||
![]() | P51-750-A-B-MD-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 750 PSI (5171.07 kPa) Absolute Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-750-A-B-MD-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | TE11M256A-15 | TE11M256A-15 ORIGINAL DIP | TE11M256A-15.pdf | |
![]() | TP6810FN | TP6810FN TOPRO SMD or Through Hole | TP6810FN.pdf | |
![]() | ESME500ELL1R0ME11D | ESME500ELL1R0ME11D UCC SMD or Through Hole | ESME500ELL1R0ME11D.pdf | |
![]() | APM4315KC-TRG | APM4315KC-TRG ANPEC SOP-8 | APM4315KC-TRG.pdf | |
![]() | KITFUSE.25AMP | KITFUSE.25AMP ORIGINAL SMD or Through Hole | KITFUSE.25AMP.pdf | |
![]() | K4F661611C-TP50 | K4F661611C-TP50 SAMSUNG TSOP | K4F661611C-TP50.pdf | |
![]() | ULN2003AFWG(O | ULN2003AFWG(O TOSHIBA SMD or Through Hole | ULN2003AFWG(O.pdf | |
![]() | MAX6745XKVD3-T | MAX6745XKVD3-T MAX SMD or Through Hole | MAX6745XKVD3-T.pdf | |
![]() | OM11046 | OM11046 NXP SMD or Through Hole | OM11046.pdf |