창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZG03C56TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZG03C Series | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 56V | |
허용 오차 | - | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 25옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 43V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 500mA | |
작동 온도 | 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
공급 장치 패키지 | DO-214AC | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | BZG03C56GITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZG03C56TR | |
관련 링크 | BZG03C, BZG03C56TR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 445W23L30M00000 | 30MHz ±20ppm 수정 12pF 30옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W23L30M00000.pdf | |
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![]() | WSL36376L000FEA | RES SMD 0.006 OHM 1% 3W 3637 | WSL36376L000FEA.pdf | |
![]() | CMB1183 | CMB1183 ORIGINAL QFP80 | CMB1183.pdf | |
![]() | MB111H | MB111H ORIGINAL TO-92 | MB111H.pdf | |
![]() | HEF4724BD | HEF4724BD PHI DIP | HEF4724BD.pdf | |
![]() | SE1E336M6L005PC880 | SE1E336M6L005PC880 SAMWHA SMD or Through Hole | SE1E336M6L005PC880.pdf | |
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![]() | SHV-08UNK | SHV-08UNK ORIGINAL SMD or Through Hole | SHV-08UNK.pdf | |
![]() | 1N2429R | 1N2429R MICROSEMI SMD or Through Hole | 1N2429R.pdf | |
![]() | 5962-8416901XA | 5962-8416901XA NSC DIP | 5962-8416901XA.pdf | |
![]() | MD82188C | MD82188C INTEL DIP | MD82188C.pdf |