창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZD27C7V5P-HE3-08 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZD27 Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 7.5V | |
허용 오차 | - | |
전력 - 최대 | 800mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-219AB | |
공급 장치 패키지 | DO-219AB(SMF) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZD27C7V5P-HE3-08 | |
관련 링크 | BZD27C7V5P, BZD27C7V5P-HE3-08 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | ATS25ASM-1E | 25MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS25ASM-1E.pdf | |
![]() | LQW15AN33NH00D | 33nH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 630 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN33NH00D.pdf | |
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![]() | CL31B153KBCNBNE | CL31B153KBCNBNE SAMSUNG SMD or Through Hole | CL31B153KBCNBNE.pdf | |
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