창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZB984-C3V0,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZB984 Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 265mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-663 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-663 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 568-11123-2 934057233115 BZB984-C3V0 T/R BZB984-C3V0 T/R-ND BZB984-C3V0,115-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZB984-C3V0,115 | |
| 관련 링크 | BZB984-C3, BZB984-C3V0,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | CDV30FJ911GO3 | MICA | CDV30FJ911GO3.pdf | |
![]() | FDV0630-R82=P3 ( FDVE0630-R82N=P3 ) | FDV0630-R82=P3 ( FDVE0630-R82N=P3 ) ORIGINAL SMD or Through Hole | FDV0630-R82=P3 ( FDVE0630-R82N=P3 ).pdf | |
![]() | K9K5608 | K9K5608 SAMSUNG BGA | K9K5608.pdf | |
![]() | T391J107M010AS | T391J107M010AS KEMET DIP | T391J107M010AS.pdf | |
![]() | C1005CH1H040CT000 | C1005CH1H040CT000 TDK SMD | C1005CH1H040CT000.pdf | |
![]() | K524G2GACB | K524G2GACB ORIGINAL SMD or Through Hole | K524G2GACB.pdf | |
![]() | MMT10V260 | MMT10V260 ON CASE416A01 | MMT10V260.pdf | |
![]() | D20XT60 | D20XT60 SHINDENG SMD or Through Hole | D20XT60.pdf | |
![]() | 1.3W4V3TA | 1.3W4V3TA TCKELCJTCON DO-41 | 1.3W4V3TA.pdf | |
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